日前，英特爾正式宣布推出旗下Optane閃騰品牌的首款產品——Intel Optane SSD DC P4800X，首發容量是375GB，PCI-E 3.0 x4擴展卡樣式，支持NVMe，售價1520美元（約合人民幣1萬元），折合4美元/GB。Intel承諾，將在第二季度發布U.2樣式的375GB容量以及PCIe擴展卡的750GB款式，到了下半年會再推出1.5TB的版本。
其實從幾年前開始，伴隨著“硬盤內存一體化”概念的升溫，英特爾就已經加強了對于這項技術的摸索。
在 2015 年第一次對外公布3D XPoint非易失性存儲技術時，英特爾聲稱，它結合了DRAM內存的高速度與NAND閃存的可靠性兩大優勢，將比NAND閃速快1000倍，存儲密度是DRAM的10倍，壽命更是比NAND閃存高出1000倍。
在早期產品都還沒有發布的時候，這一切描述顯得有些夸張，但如今隨著產品的推出，也都證明英特爾口口聲聲的“高性能”并非虛言。
有意思的是，此次發布的P4800X固態硬盤的初始規格早在2月份的時候就被泄露了出來。總結下來就是該產品是定位于企業數據庫，適用于具有高讀/寫需求且要求低延時的應用。
盡管2400MB/s的讀取和2000MB/s的寫入成績在某些好的NAND閃存面前有些遜色，但P4800X最大的特點就是可以維持較高I/O負載的能力。
通常情況下，SSD制造商會引用的一個技術指標就是——每秒進行讀寫操作的次數，但需要注意的是這些圖形生成隊列的深度通常為32。也就是說，驅動器總是保持32個未完成的操作以應對所收到大量的讀/寫請求（取決于測量什么），利用這些深層隊列，NAND閃存SSD可以實現3-400000 IOPS。
P4800X的讀寫速率分別可以達到550000 IOPS和500000 IOPS。英特爾特別強調，即使在低隊列深度，比如在16時，也能實現這一速率。他們還稱，隊列深度大約為8時是現在可以保證該速率的最低深度。
此外，英特爾還表示，即使在高負載下，每個I/O操作的延遲率仍然很低。當隊列深度為1時， 99.999％的操作的讀或寫延遲分別低于60或100微秒，當隊列深度為16時，延時增長到150或200微秒。在類似負載下，英特爾的P3700 NAND SSD只能保證 99％的操作延遲低于約2800微秒。
同樣，在持續寫入的負載下，P4800X的讀取延遲仍可以保持在較低水平。而相同情況下，P3700 NAND的讀取延遲將隨著寫入帶寬的增加而不斷增加。
這一性能使Optane驅動器非常適用于像緩存這樣的應用方向。
但是，英特爾的目標卻遠不止于此。3D XPoint是字節可尋址的，也就是說，每個單獨的字節都可以被重寫，這也使得它與NAND閃存不同。NAND通常被分配到大小為512、2048或4096字節的頁面。
然后，這些頁面被排列成區域，每一區域通常為16、128、256或512千字節。讀取和寫入操作以頁面粒度進行，但每個頁面只能寫入一次。如果想再次寫入，它必須首先被擦除，并且擦除不是以頁面粒度而是以區域粒度進行。而使用3D XPoint時，讀取和寫入可以在單個字節上進行。
與閃存反復擦除會產生物理磨損不同，3D XPoint的寫入是無損的，這使得其與同等密度的NAND相比具有更長的壽命。英特爾稱，Optane固態硬盤每天可以寫入30次，與之相比，傳統的產品通常只能寫入0.5-10次。
低延遲和壽命長的特點使得Optane非常適合緩存和數據庫服務器等方面的應用。而且，英特爾利用這兩個屬性開發出了一種叫做“內存驅動技術”的功能，這意味著P4800X不僅可以被用作普通的固態硬盤，它還可以搭配適當的芯片組和處理器來起到RAM的作用。
這也使得Optane在延遲和帶寬都比DRAM差的情況下，依然可以憑借高密度和低價格取得一定的市場。
實際上，內存驅動技術是將常規的DRAM與SSD結合在一起，用以存儲易丟失的臨時信息。當然，這會比使用同等規格的DRAM稍慢一些，但是其成本明顯是更低，并在功耗方面也表現的不錯。
除此以外，這種技術最大的好處是大大增加了服務器中物理內存的數量：2插槽的Xeon系統只能容納3TB的RAM，卻可以有24TB的Optane，4插槽的系統支持12TB的RAM，但對于Optane來講卻是48TB，這種轉變也是市場對于高容量內存巨大需求推動的結果。
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